Samsung ve SK Hynix, 14 nm NAND flaş bellekle birlikte pazarı bir hayli hareketlendirecek gibi görünüyor…
Japon ve Amerikalı şirketler stabil halde olağan işlerini yaparken yenilenme namına gündeme dair yeni bilgiler paylaşmamışlarken; Toshiba, 15 nm’den sonra herhangi bir ürün geliştirmesinin proğramı dahilinde olmayacağını, Micron ve Intel ise PRAM türündeki başka bir çözüme odaklandıklarını duyurmuşlar başkaca bir bilgi paylaşmamışlardı. Bu boşluğu fırsat bilen Samsung ile SK Hynix, sessiz sedasız çalışmalarına devam etmişler ve dışarıya bilgi sızdırmadan işlerini yapmışlar zira görünen bu.
ETNews’in endüstri üreticilerinden olan kaynaklarına dayandırdığı haberine göre Samsung, 14 nm flat NAND flaşın geliştirme sürecinde bitirme noktasına geldi. Bu gelişnmeye göre 2016’nın ilk yarısında 14 nm NAND flaşların seri üretim bandına inmesi bekleniyor. Koreli şirket 31 Ocak’ta düzenlenecek olan ISSCC etkinliğinde 14 nm’lik yeni çözümünü göstererek diğer şirketlere üstünlüğünü göstermeyi planlıyor. SK Hynix ise Samsung’un gerisinde kalmış gözüküyor. Şirket 2015 yılından itibaren 14 nm NAND flaş üstünde çalışmalara başlamıştı. 2016 yılının ilk yarısında gelişme sürecini anca bitirmiş olacak. Seri üretimin ise ancak yıl sonuna doğru olacağı görülüyor.
Peki bu 14 nm NAND flaşın avantajı var mı? Ne gibi yararları olacak?
Samsung’un 14 nm’lik ürününü piyasada olan 16 nm’lik ürünle kıyasladığımızda aradaki farkın %12.5’lik olduğunu ve Samsung’un %12.5’lik alanın kazandığı görüliyor. Kazanılan bu alan yanında maliyette de azalma sağlanıyor ve Wafer’dan çıkarılan NAND çip sayısı da arttırılmış oluyor. 14 nm NAND flaş çözümü, 15 veya 16 nm’ye göre daha az elektrona sahip. Bu az elektron demek daha az enerji , daha az elektron sayısı, hızlı veri okuma ve hızlı yazma yanında daha az hataya rastlanacağı anlamına gelmektedir.
